量子点发光二极管（QLED）作为一种新型的显示技术，因其优异的色彩表现和高效能在显示器和电视行业中获得了广泛应用。QLED技术基于量子点材料的光电性质，其发光效率的提升和结构优化是当前研究的热点。

首先，QLED的发光效率主要受到量子点的光电转换效率和电荷注入效率的影响。量子点由于其独特的量子限制效应，能够在电场的作用下产生特定波长的光，因此能够实现高饱和度的颜色和宽广的色域。然而，量子点材料的发光效率容易受到非辐射复合损失的影响，尤其是在量子点的表面缺陷处，这些缺陷会导致电子与空穴复合而不是发光，从而降低发光效率。

为了提高发光效率，研究人员采用了多种方法来优化量子点的结构和材料。例如，表面修饰技术可以有效减少量子点的表面缺陷，常用的方法包括涂覆有机配体或采用金属包覆层，这些修饰层能够减少电子和空穴的非辐射复合，增强光电转换效率。此外，优化量子点的尺寸和形状也是提高发光效率的有效途径。通过精确控制量子点的尺寸，能够调整其能带结构，进而调节发光波长和发光强度。

除了量子点本身的优化，QLED的结构设计也是提升发光效率的关键。QLED的结构通常包括电极、电子传输层、量子点发光层和空穴传输层。通过优化电子传输层和空穴传输层的材料，能够有效改善电荷的注入和传输效率，从而提高QLED的整体性能。此外，采用高效的光出射结构，如微结构光学增透膜或反射层，可以有效提升光的出射效率，从而进一步增强QLED的发光效果。

总的来说，量子点发光二极管的发光效率提升依赖于量子点材料的优化、界面工程和结构设计的改进。随着研究的深入，QLED技术有望在显示技术领域中实现更广泛的应用，特别是在电视、智能手机等设备中，带来更高效、更节能的显示体验。